公开/公告号CN102284368A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 德塞拉股份有限公司;
申请/专利号CN201110166445.3
申请日2011-06-20
分类号B03C3/74;
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人毛力
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 03:51:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-17
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B03C3/74 申请公布日:20111221 申请日:20110620
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):B03C3/74 申请日:20110620
实质审查的生效
2011-12-21
公开
公开
机译: 具有大带隙发射极材料的双极晶体管-使用单晶硅作为发射极和集电极,并由硅锗cpd形成基极区。
机译: 制造包括两个横向晶体管的光激活的可线操作的过零开关的方法,其中一个的发射极位于另一个的发射极和集电极之间
机译: 触发器存储单元多发射极晶体管-具有信息和地址发射极,基极和集电极区域