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二阶非线性光学薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明提供的是一种基于p-n结的二阶非线性光学薄膜材料及其制备方法,该二阶非线性光学薄膜材料由1层以上薄膜材料构成,分别由n型和p型半导体材料组成p/n…/p或n/p…/n形式的交叠多层薄膜材料,所述半导体材料至少包含一层p型和一层n型的半导体薄膜并构成p-n结。该二阶非线性光学薄膜材料的制备方法包括膜系结构设计和所述二阶非线性光学薄膜材料的制备步骤。本发明所述结构的非线性光学材料适合于设计制备高二次谐波产生的二阶非线性光学材料,倍频效率等实用性能可通过改变膜层厚度和薄膜的层数进行调节,产品将广泛应用于非线性光学领域,如激光倍频以及全光谱太阳光利用等。

著录项

  • 公开/公告号CN102183864A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201110080564.7

  • 发明设计人 刘启明;赵修建;

    申请日2011-03-31

  • 分类号G02F1/355;G02F1/37;H01L31/055;

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人王守仁

  • 地址 430071 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2023-12-18 03:08:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02F1/355 申请公布日:20110914 申请日:20110331

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/355 申请日:20110331

    实质审查的生效

  • 2011-09-14

    公开

    公开

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