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两层、三层闪存装置、智能存储开关和两层、三层控制器

摘要

本发明适用于存储器领域,提供了一种两层、三层闪存装置、智能存储开关和两层、三层控制器。固态硬盘设有智能存储开关,用来废物回收利用从分段数据容量上经由删减而删除的闪存存储。超出分段数据容量的额外存储用未分割的散列数据方式进行存取。随着时间的推移当更多坏块出现时,分段数据容量降低。第一级映射图存储所有闪存信道的分段数据和散列数据容量,并映射散列数据和分段数据。每个闪存信道设有NVMD,NVMD设有较低级控制器,该控制器将LBA转换为PBA,PBA用来存取NVMD内的闪速存储器。每个NVMD执行磨损平衡和坏块重新映射。NVMD可循环回收利用源本闪存区块和阴影闪存区块。两个级别的智能存储开关能够启动三个级别的控制器。

著录项

  • 公开/公告号CN101923512A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶天电子(深圳)有限公司;

    申请/专利号CN201010135362.3

  • 发明设计人 俞一康;马志刚;李中和;申明进;

    申请日2010-02-21

  • 分类号G06F12/02(20060101);G06F13/16(20060101);G11C29/42(20060101);

  • 代理机构44237 深圳中一专利商标事务所;

  • 代理人贾振勇

  • 地址 518000 广东省深圳市宝安区福永镇塘尾村凤塘大道正风工业园A3栋

  • 入库时间 2023-12-18 01:39:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-20

    授权

    授权

  • 2011-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/02 申请日:20100221

    实质审查的生效

  • 2010-12-22

    公开

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