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包含具有至少一组基本未掺杂层的超晶格的半导体器件

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摘要

半导体器件，包括超晶格，超晶格依次含有多个叠加的层组。每组超晶格可以包括用于限定基础半导体部分和其上的能带修改层的多个叠加的基础半导体单层。此外，能带修改层可以包括束缚于相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。超晶格的至少一个层组可以是基本上未掺杂的。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-08-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/15 公开日:20080903 申请日:20060509

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-10-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-03

公开

公开

1. 包含具有至少一组基本未掺杂层的超晶格的半导体器件 [P] . 中国专利： CN101258603A . 2008-09-03
2. 具有绝缘体上半导体（SOI）构造且在薄半导体层上包含超晶格的半导体器件及相关方法 [P] . 中国专利： CN101278400A . 2008-10-01
3. Semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layer [P] . AU2006249572A2 . 2008-05-29

机译：包括具有至少一组基本上未掺杂的层的超晶格的半导体器件
4. Semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layer [P] . AU2006249572A1 . 2006-11-30

机译：包括具有至少一组基本上未掺杂的层的超晶格的半导体器件
5. Method for making a semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layers [P] . 美国专利： US2005282330A1 . 2005-12-22

机译：制造包括具有至少一组基本未掺杂的层的超晶格的半导体器件的方法