具有凹进式控制栅极的半导体存储器装置的操作方法

摘要

本发明提供了一种半导体存储器装置的操作方法，其中，该半导体存储器装置可以包括半导体基底、凹进到半导体基底中的控制栅极、位于控制栅极与半导体基底之间的存储节点层、位于存储节点层与半导体基底之间的隧穿绝缘层、位于存储节点层与控制栅极之间的阻挡绝缘层、环绕控制栅极并被成对的相对的分离绝缘层分隔开的第一沟道区和第二沟道区。该操作方法可以包括通过穿过阻挡绝缘层的电荷隧穿在存储节点层中编入数据，从而实现相对高的可靠性和效率。