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在半导体晶圆上制造一个或多个金属嵌入式结构的方法

摘要

一种在半导体晶圆上制造一个或多个金属(如铜)嵌入式结构的方法,至少使用三个研磨步骤,以减少最终金属嵌入式结构的侵蚀形貌和/或增加产量。该研磨步骤在研磨设备的四个研磨单位执行,其中包含一个或多个转轴载入/载出杯,使半导体晶圆可以在研磨单位之间传递。

著录项

  • 公开/公告号CN101124662A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英诺普雷股份有限公司;

    申请/专利号CN200580038528.7

  • 发明设计人 丁寅权;

    申请日2005-11-09

  • 分类号H01L21/302;

  • 代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁

  • 地址 美国加州

  • 入库时间 2023-12-17 19:41:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-04

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L21/302 放弃生效日:20080213 申请日:20051109

    专利权的视为放弃

  • 2008-04-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-13

    公开

    公开

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