压容式传感器基片成腔方法

摘要

精度高、费用省、操作简便、质量稳定的压容式传感器基片成腔方法，加工步骤为：①在选取的硅片一面经氧化形成二氧化硅层；②在二氧化硅层上面涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成微结构凹腔Ⅰ其底面物质为二氧化硅；③以光刻胶层为掩膜，用ICP等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅰ内刻蚀二氧化硅层，形成微结构凹腔Ⅱ其底面物质为硅；④去除所述光刻胶层；⑤再次涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成与所述微结构凹腔Ⅱ对应的微结凹腔Ⅲ；⑥以光刻胶层为掩膜，用等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅲ内刻蚀硅片至一深度；⑦去除光刻胶层，得到具有微结构凹腔Ⅳ的基片。本发明适合制作压器式传感器基片。