公开/公告号CN101442053B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-11-14
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200810215206.0
申请日2008-09-18
分类号H01L27/105(20060101);H01L27/108(20060101);H01L27/115(20060101);H01L23/522(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L21/8247(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人穆德骏;陆锦华
地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
入库时间 2022-08-23 09:11:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-14
授权
授权
2010-11-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20080918
实质审查的生效
2009-05-27
公开
公开
机译: 半导体器件,包括晶体管,该晶体管具有在有源区的边缘部分上形成的栅极电极,该有源区与器件隔离层和有源区的界面相邻,并且其制造方法
机译: 半导体器件在有效位置上分别具有远距位线图样一侧不同的存储节点和形成相同节点的方法
机译: 集成电路例如半导体存储器件的制造方法,涉及在有源区中的衬底中蚀刻沟槽,使得沟槽结构在横向方向上限定沟槽的尺寸,以及在沟槽中形成有源器件