具有高K电介质存储电容器的DRAM及其制造方法

摘要

一种动态随机存取存储单元包括形成于半导体主体中的晶体管。电容器连接至晶体管上且包括由硅形成的第一电容器极板。金属层与第一电容器极板相邻且与之电连接。电容器电介质层与金属层相邻。该电容器电介质层包括具有介电常数大于约5的材料。第二电容器极板与电容器电介质相邻。电容器可以是沟槽电容器或叠式电容器。