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反铁磁/顺磁电阻器件、非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种电阻多层器件和非易失性存储器。该电阻多层器件包括:含有第一材料的第一层,该第一材料是导电的;设置在该第一层上的第二层,其中该第二层含有第二材料,通过使电流流经该第二材料,该第二材料具有在反铁磁态和顺磁态之间可转换的态;设置在该第二层上的第三层;以及设置在该第一和第三层之间的第四层,其中该第四层含有电介质材料,其中该第三层含有导电的第三材料,该第二层在反铁磁态具有与其在顺磁态的电阻不同的电阻,在没有施加电力时,该第二材料的状态被保持。该电阻多层器件可以形成为非易失性存储器的存储单元的一部分,其中基于该第二材料的状态,信息被存储在该存储单元中。

著录项

  • 公开/公告号CN1783336A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-06-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510116550.0

  • 发明设计人 李正贤;朴永洙;

    申请日2005-08-22

  • 分类号G11C11/15;H01L43/08;H01L27/10;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人李晓舒

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 17:16:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C11/15 公开日:20060607 申请日:20050822

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2007-06-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-07

    公开

    公开

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