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具有铜背部金属结构的薄CaAs管芯

摘要

薄GaAs衬底(310)可以设置有铜背部金属层(340),以利用常规塑料封装技术封装GaAs衬底。通过给GaAs衬底设置铜背部金属层,GaAs衬底可以制作得比2密耳(大约50微米)薄,由此减少热消散问题并使半导体管芯与软焊剂技术相适应。通过使半导体管芯能够封装在塑料封装内,可以实现巨额成本节省。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/60 授权公告日:20101013 终止日期:20170930 申请日:20030930

    专利权的终止

  • 2010-10-13

    授权

    授权

  • 2006-03-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-01-11

    公开

    公开

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