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突发中刷新或字线改变时性能不降低的半导体存储器器件

摘要

本发明提供了一种突发中刷新或字线改变时性能不降低的半导体存储器器件。在其中使用存储器核心执行突发操作的半导体存储器器件具有读/写触发信号发生电路和读/写信号发生电路。在突发操作期间,读/写触发信号发生电路从预定的定时信号生成读/写信号请求。读/写信号发生电路从读/写触发信号发生电路接收输出信号,并且在恰好在该输出信号的接收之前的核心操作完成且随后的行侧激活完成之后,输出读/写信号。

著录项

  • 公开/公告号CN1702769A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200410101327.4

  • 发明设计人 原浩太;山田伸一;

    申请日2004-12-17

  • 分类号G11C11/407;G11C11/409;

  • 代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵淑萍

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2023-12-17 16:46:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C11/407 授权公告日:20110406 终止日期:20181217 申请日:20041217

    专利权的终止

  • 2015-06-03

    专利权的转移 IPC(主分类):G11C11/407 变更前: 变更后: 登记生效日:20150514 申请日:20041217

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-04-06

    授权

    授权

  • 2008-12-03

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20081031 申请日:20041217

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2006-01-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-30

    公开

    公开

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