一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法

摘要

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法。该方法提出了一种与具体硬件结构无关、基于权重的错误注入模型，用于准确模拟基于SRAM的FPGA抗辐射性能；同时提出了基于JTAG边界扫描技术和动态局部重配置技术的错误注入模拟平台。结合二者的错误注入系统不但具有良好的通用性，而且能更准确更高效地进行模拟，同时成本更低。