ZnTe单晶衬底的热处理方法及ZnTe单晶衬底

摘要

本发明提供用于有效地消除ZnTe单晶衬底中Te析出物的热处理方法以及具有适于光调制元件等用途的光学特性的厚度1mm以上的ZnTe单晶衬底。在具有以下工序ZnTe单晶衬底热处理方法中，在将所述第1热处理温度T1设定为700℃≤T1≤1250℃范围的同时，将所述第2热处理温度T2设定为T2≤T1-50的范围，所述工序为升温至第1热处理温度T1、仅保持规定时间的第1工序；以规定的速度慢慢从第1热处理温度T1降温至低于该热处理温度T1的第2热处理温度T2的第2工序。