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钨硅闸极选择性侧壁氧化期间最小化氧化钨蒸气沉积之方法

摘要

在包含一多晶硅层以及一钨层之闸极结构之选择性氧化期间,其本身已知,氧化钨之蒸气沉积系借着一特殊处理被预防或至少大大地减少。闸极结构借着一含氢,非水溶液的惰性气体在一氢/水混合物之处理步骤之前,如果恰当,在之后来起作用。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-05-17

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2004-08-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-09

    公开

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