无氧淀析的切氏硅晶片

摘要

本发明涉及处理切氏单晶硅片的一种过程,以消除已经存在的氧原子团和氧淀析物,同时防止它们在以后氧淀析热处理中再次形成。此过程包括(ⅰ)在快速热退火炉中、在至少1150℃的温度、至少1000ppma的氧浓度下热处理硅片,或者(ⅱ)在快速热退火炉中、在至少约1150℃的温度下热处理硅片,然后,在硅片从热处理的最高温度经过一个空位相对可移动的温度范围冷却时,控制冷却速率,以使单晶硅中的空位数密度减少到一定数值,从而即使硅片以后经受氧淀析热处理,硅片中也不会形成氧淀析物。