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带有存储单元和基准单元的集成式存储器

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存储单元(MC)设置在字线(WLi)和位线(BL,/BL)交叉点上。包括设置在至少一个第一基准字线(RWL1,RWL1’)和位线(BL,/BL)交叉点上的第一基准单元(RC1),并且该基准单元在正常工作方式下在阅读所述存储单元(MC)前用于在所述位线中产生一个基准电位。还包括设置在至少一个第二基准字线(RWL2,RWL2’,RWL3)和位线(BL,/BL)交叉点上的第二基准单元(RC2,RC3),并且该基准单元在校验工作方式下在阅读所述第一基准单元(RC1)前用于在所述位线中产生一个基准电位。

著录项

公开/公告号CN1288236A

专利类型发明专利
公开/公告日2001-03-21

原文格式PDF
申请/专利权人因芬尼昂技术股份公司;
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申请/专利号CN00133114.0
发明设计人 P·佩赫米勒;
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申请日2000-09-14
分类号G11C11/21;G11C11/22;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张志醒
地址联邦德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 13:50:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C29/00 授权公告日:20040804 终止日期:20170914 申请日:20000914

专利权的终止
2016-02-03

专利权的转移 IPC(主分类):G11C29/00 登记生效日:20160113 变更前: 变更后: 申请日:20000914

专利申请权、专利权的转移
2013-07-10

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C29/00 变更前: 变更后: 申请日:20000914

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-07-10

专利权的转移 IPC(主分类):G11C29/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130619 申请日:20000914

专利申请权、专利权的转移
2004-08-04

授权

授权
2001-06-27

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2001-03-21

公开

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1. 带有存储单元和基准单元的集成式存储器 [P] . 中国专利： CN1160738C . 2004.08.04
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5. Integrated semiconductor memory with a memory unit for storing addresses of faulty memory cells [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1113362A3 . 2003-02-12

机译：带有存储单元的集成半导体存储器，用于存储故障存储单元的地址