法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/08 授权公告日:20041222 申请日:19981120
专利权的终止
2009-01-21
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-12-22
授权
授权
2001-01-24
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1999-07-28
公开
公开
机译: 在单晶金刚石上形成PZT薄膜的方法,形成有PZT薄膜的单晶金刚石和使用形成有PZT薄膜的单晶金刚石的电容器
机译: 通过形成方向控制层和膜厚控制层之间的界面,提高了使用寿命可靠性的铁电PZT薄膜及其制造方法
机译: 半导体器件和在半导体管芯的接触垫上的籽晶层上方形成互连结构而不在互连结构下方对籽晶层进行底切的方法