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多层单晶硅纳米膜/石墨烯光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开一种多层单晶硅纳米膜/石墨烯光电探测器及制备方法,该光电探测器基于单晶硅/石墨烯肖特基异质结光电探测器优异性能的基础上,采用多层单晶硅纳米薄膜/石墨烯叠层结构,在拥有柔性的基础上,多层结构一方面增加了同一区域石墨烯与单晶硅纳米薄膜的接触面积;同时也增加了厚度,提高了器件对长波长光的吸收能力,提升了器件对长波长光的响应;并且采用的单晶硅纳米薄膜为多孔结构,减少了单晶硅纳米薄膜对光的反射,提高了器件对光的吸收。该多层单晶硅纳米薄膜/石墨烯范德瓦尔斯异质结光电探测器结构能够提升器件的探测性能,为该领域的器件性能优化提供一种方案。

著录项

  • 公开/公告号CN111180546A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201911400467.4

  • 发明设计人 吕朝锋;陆明;张鹤;

    申请日2020-05-19

  • 分类号

  • 代理机构杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人贾玉霞

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/111 申请日:20191230

    实质审查的生效

  • 2020-05-19

    公开

    公开

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