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一种高电荷转移效率的CMOS图像传感器像素结构

摘要

一种高电荷转移效率的CMOS图像传感器像素结构,提出的双环形像素结构增加了光生电荷由光电二极管向浮空扩散节点的转移通道,增加了电荷转移路径上的电场,缩短了电荷在“平电势”区域的扩散距离,可以有效的提高电荷的转移速度和效率,从而完成电荷的快速完全转移,提高大像素CMOS图像传感器的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111180473A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学青岛海洋技术研究院;

    申请/专利号CN201811328811.9

  • 申请日2018-11-09

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 266200 山东省青岛市鳌山卫街道青岛蓝色硅谷核心区莱青路2-2号

  • 入库时间 2023-12-17 11:49:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20181109

    实质审查的生效

  • 2020-05-19

    公开

    公开

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