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计算材料的中子屏蔽性能的方法、系统及介质

摘要

本发明提供了一种计算材料的中子屏蔽性能的方法、系统及介质,包括:步骤1:对样品进行微观表征,统计样品的微观组织信息;步骤2:根据微观组织信息,计算屏蔽颗粒的个数和基底材料的吸收截面;步骤3:计算复合材料的有效吸收截面;步骤4:将复合材料的有效吸收截面作为基底材料的吸收截面,返回步骤2继续执行,直到计算完所有屏蔽颗粒,得到复合材料的总体中子衰减系数。本发明可以根据材料中所含有多种微观颗粒的尺寸分布,形状,体积分数等信息对材料的中子屏蔽性能的进行定量计算;解决了传统匀质的中子屏蔽性能计算方法中忽略了材料中多种颗粒和相的微观尺寸分布,形状等信息对中子屏蔽性能的影响的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111489796A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN202010215097.3

  • 发明设计人 钟圣怡;翟昊宇;陈哲;王浩伟;

    申请日2020-03-24

  • 分类号

  • 代理机构上海段和段律师事务所;

  • 代理人李佳俊

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-12-17 11:28:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G16C60/00 申请日:20200324

    实质审查的生效

  • 2020-08-04

    公开

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