具有改善的可见光吸收率的氧化物半导体光电晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了光电晶体管及其的制造方法，光电晶体管具有通过溶液工艺引入至氧化物半导体光电晶体管的缺陷氧化物射线吸收层，或者具有通过形成损伤的界面控制引入至栅绝缘膜与氧化物半导体层之间的界面的缺陷氧化物射线吸收部分，从而使得能够在可见光区域的范围内改善光吸收。