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阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法,其中,阻变式存储器包括顶电极、底电极层和阻变层,所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间,所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层,所述底电极层包括底电极本体和介电层,所述底电极本体呈锥形,所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处,所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。本发明可提高阻变式存储器的使用效果。

著录项

  • 公开/公告号CN111384239A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门半导体工业技术研发有限公司;

    申请/专利号CN202010150656.7

  • 申请日2020-07-07

  • 分类号

  • 代理机构北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张洋

  • 地址 361008 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20200306

    实质审查的生效

  • 2020-07-07

    公开

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