公开/公告号CN111279504A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-12
原文格式PDF
申请/专利权人 弗莱克英纳宝有限公司;
申请/专利号CN201880070481.X
申请日2018-10-22
分类号H01L51/40(20060101);
代理机构11355 北京泰吉知识产权代理有限公司;
代理人张雅军;秦小耕
地址 英国剑桥
入库时间 2023-12-17 09:55:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-12
公开
公开
机译: 有机薄膜晶体管,即顶栅有机薄膜晶体管,其制造方法包括将由有机半导体材料制成的半导体层置于源极和漏极之间的中间层上
机译: 用于制造集成电路的垂直双通道绝缘体上硅场效应晶体管,在成对的垂直半导体层,栅极氧化物和栅极源极以及漏极上分别具有源极,漏极和沟道区
机译: 用于内燃机的等离子体产生装置,具有带有开关晶体管的周期性脉冲电压发生器和齐纳二极管,齐纳二极管连接在晶体管的漏极和源极之间,以限制漏极和源极之间的电压差