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用于有机薄膜晶体管的源极-漏极导体

摘要

一种技术,其包含:形成一第一导体图案,其至少部分地界定用于一或多个薄膜晶体管元件的源极和/或漏极导体;使所述导体图案曝露于一反应性卤素物种中;及直接于所述曝露的第一导体图案上沉积有机半导体通道材料,以在所述曝露的第一导体图案的源极与漏极之间提供一或多个半导体通道。

著录项

  • 公开/公告号CN111279504A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 弗莱克英纳宝有限公司;

    申请/专利号CN201880070481.X

  • 申请日2018-10-22

  • 分类号H01L51/40(20060101);

  • 代理机构11355 北京泰吉知识产权代理有限公司;

  • 代理人张雅军;秦小耕

  • 地址 英国剑桥

  • 入库时间 2023-12-17 09:55:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-12

    公开

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