法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
公开
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机译: 具有氧化硅层的半导体器件的制造方法,具有双间隔物的半导体器件的制造方法,在基板上形成氧化硅层的方法以及在导电材料层上形成双间隔物的方法
机译: 具有氧化硅层的半导体器件的制造方法,具有双间隔物的半导体器件的制造方法,在基板上形成氧化硅层的方法以及在导电材料层上形成双间隔物的方法
机译: 具有氧化硅层的半导体器件的制造方法,具有双间隔物的半导体器件的制造方法,在基板上形成氧化硅层的方法以及在导电材料层上形成双间隔物的方法