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公开/公告号CN111220635A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-02
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN202010045873.X
发明设计人 陈凯;周光妮;张玉彬;朱文欣;
申请日2020-01-16
分类号G01N23/2055(20180101);G01N23/207(20060101);
代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人覃婧婵
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2023-12-17 09:04:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/2055 申请日:20200116
实质审查的生效
2020-06-02
公开
机译: 用于记录晶体材料的x射线衍射图的像板衍射仪,具有用于曝光由材料衍射的x射线束的像板,该材料以曲线方式与材料隔开一定距离
机译: 所获得的衍射峰的峰强度比
机译: 映射晶体材料样品中的晶粒结构的X射线衍射方法和X射线衍射装置
机译:局部厚度和组成测量通过像素化检测器获得的二进制非晶体材料的扫描会聚光束电子衍射
机译:基于X射线衍射峰形式的分析基于X射线衍射峰形的外延层的缺陷结构
机译:扫描电子显微镜中基于块状晶体材料的后处理电子反向散射衍射图样的暗场成像
机译:通过使用能量分辨检测器使用X射线衍射计来获得精制X射线衍射图案的新方法
机译:通过X射线光电子衍射,扫描隧道显微镜和低能电子衍射研究了外延氧化铁在铂(111)上的生长。
机译:晶体缺陷对3D高分辨率衍射峰的影响:基于FFT的方法
机译:衍射峰恢复和萃取能量分散X射线衍射
机译:通过扫描隧道显微镜,位点分辨光电子衍射和自旋偏振光电子衍射研究在W(110)上生长的薄Fe和Gd薄膜的界面和表面性质