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一种金红石型110取向TiO2单晶的处理工艺

摘要

本发明属于单晶表面处理领域,具体涉及一种金红石型110取向TiO2单晶的处理工艺,通过此工艺流程能够将金红石型110取向TiO2单晶处理出原子级台阶,台阶的高度与平整性均达到高质量薄膜生长的工艺要求。具体实施需要的设备包括超声波清洗仪和管式炉,流程包括有机溶剂超声波清洗、强酸刻蚀、氧氛围下退火。该流程能够在高效且低成本的方式下得到平整的金红石型110取向TiO2单晶表面,并且通过严格控制合适的刻蚀时间和退火温度,能够在大的斜切角平面内,得到平整的原子台阶。该工艺能够解决单晶切割质量较低时,无法获得高质量的原子级平整台阶的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111172596A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN202010063891.0

  • 发明设计人 杨冰洁;李志鹏;李坊森;程飞宇;

    申请日2020-01-20

  • 分类号C30B33/02(20060101);C30B33/10(20060101);C30B29/16(20060101);

  • 代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人皋吉甫

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2023-06-18 13:27:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/02 申请日:20200120

    实质审查的生效

  • 2020-05-19

    公开

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