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用于NAND Flash闪存纠错的并行BCH解码方法

摘要

本发明属于数据纠错技术领域,具体涉及一种用于NAND Flash闪存纠错的并行BCH解码方法。所述并行BCH解码方法包括:计算伴随式的第一阶段、得到错误位置多项式的第二阶段,以及确定错误位置并纠正的第三阶段;与现有技术相比较,本发明具备如下有益效果:(1)本方法的结构简单,易于硬件实现,可以支持FPGA或芯片化设计等不同实现方式。(2)本方法实现了架构化设计,可以通过参数的不同配置快速形成对应方案。(3)本方法实现了数据的多位并行化输入与输出,显著减少了处理流程的时间消耗,提高编码处理效率。

著录项

  • 公开/公告号CN110908827A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津津航计算技术研究所;

    申请/专利号CN201911131265.4

  • 发明设计人 周津;曾永红;何全;

    申请日2019-11-19

  • 分类号

  • 代理机构中国兵器工业集团公司专利中心;

  • 代理人周恒

  • 地址 300308 天津市东丽区空港经济区保税路357号

  • 入库时间 2023-12-17 07:21:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/10 申请日:20191119

    实质审查的生效

  • 2020-03-24

    公开

    公开

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