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公开/公告号CN110870044A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-06
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201880036882.3
发明设计人 程睿;F·王;A·B·玛里克;R·J·维瑟;
申请日2018-06-06
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人汪骏飞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 06:51:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20180606
实质审查的生效
2020-03-06
公开
机译: 使用沉积处理蚀刻工艺选择性沉积硅
机译: 使用沉积-处理-蚀刻工艺选择性沉积硅
机译: 使用沉积治疗蚀刻工艺选择性沉积硅
机译:使用离子注入,硅沉积和选择性硅刻蚀对硅进行逐层3D图案化的工艺注意事项
机译:使用SIF4 / H2 / AR等离子体化学通过锯齿定制电压波形激发的电极选择性沉积/蚀刻工艺
机译:使用乙醇作为乙醇作为前体反应物和表面预沉积处理的氧化锆基底选择性原子层沉积的基材选择性原子层沉积
机译:使用基于Si_3H_8 / SIH_3CH_3 / PH_3 / CL_2的循环沉积和蚀刻工艺,用于NMOS器件的原位掺杂SICP / SIP层的高吞吐选择性外延生长
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:具有低温沉积和蚀刻工艺的MEMS中电沉积Ni-Fe的集成
机译:用于选择性沉积钨的顺序沉积蚀刻技术