闪锌矿结构III族氮化物

摘要

公开了一种制造包括(001)取向的闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构的方法，例如GaN。该层形成在硅衬底上的3C‑SiC层上。形成成核层，进行再结晶，然后通过MOVPE在750‑1000℃范围内的T3温度下形成厚度至少为0.5μm的闪锌矿结构Ⅲ族氮化物层。还公开了相应的包括闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构，当通过XRD表征时，该层的大部分或全部由闪锌矿结构III族氮化物形成，优先于纤锌矿结构III族氮化物。