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用于GaN基启动电路的系统和方法

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摘要

本发明涉及用于GaN基启动电路的系统和方法。根据一个实施例，一种电路包括：第一氮化镓（GaN）晶体管，其包括耦合到漏极节点的漏极、耦合到源极节点的源极以及耦合到栅极节点的栅极；以及第二GaN晶体管，其包括耦合到漏极节点的漏极、耦合到第一电源节点的源极，第一电源节点被配置成耦合到第一电容器。

1. 用于GaN基启动电路的系统和方法 [P] . 中国专利： CN110798059A . 2020-02-14
2. 用于测定AlGaN/GaN超晶格电阻率的GaN基激光器及测试方法 [P] . 中国专利： CN102255244A . 2011-11-23
3. GaN-based semiconductor light-emitting device, light-emitting device assembly, light-emitting device, method for manufacturing GaN-based semiconductor light-emitting device, driving method for GaN-based semiconductor light-emitting device, and image display device [P] . 日本专利： JP4640427B2 . 2011-03-02

机译： GaN基半导体发光器件，发光器件组件，发光器件，用于制造GaN基半导体发光器件的方法，用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
4. GaN-based LED element, the manufacturing method and the GaN-based LED element for manufacturing a template of a GaN-based LED element [P] . 日本专利： JP5045418B2 . 2012-10-10

机译： GaN基LED元件，制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
5. POLYCRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE BASE MATERIAL FOR GAN-BASE SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH AND GAN-BASE SEMICONDUCTOR PRODUCTION METHOD USING SAME [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012020676A1 . 2012-02-16

机译：用于GAN基半导体晶体生长的多氮化铝铝基材料和使用相同方法生产GAN基半导体的方法