在低温下的选择性硅锗外延的方法

摘要

在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气体、锗源气体、蚀刻剂气体、载气和至少一种掺杂剂源气体；和在所述基板上外延地和选择性地沉积第一硅锗材料。