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公开/公告号CN110754001A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-04
原文格式PDF
申请/专利权人 宜普电源转换公司;
申请/专利号CN201880039807.2
发明设计人 曹建军;R·比奇;赵广元;Y·萨里帕里;唐智凯;
申请日2018-06-13
分类号
代理机构北京市磐华律师事务所;
代理人赵楠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 06:51:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20180613
实质审查的生效
2020-02-04
公开
机译: 具有选择性和非选择性刻蚀层的增强型GaN晶体管,用于改善GaN间隔层厚度的均匀性
机译: 具有选择性和非选择性刻蚀层的增强型GaN晶体管,可改善GaN间隔层厚度的均匀性
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:具有RF溅射法的氮化镓压电薄膜的天文台和SC加入具有RF溅射法,HF和Mo金属对准层的使用氮化镓薄膜改善了
机译:金属有机化学气相沉积低能Ga离子注入对氮化硅表面氮化镓层选择性生长的影响
机译:氮化硼和氮化镓材料中的反应离子蚀刻Cl_2 / Ar和Bcl_3 / Cl_2 / Ar化学物质中的氮化镓材料
机译:研究氮化镓,氮化铝镓和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管中的电活性缺陷
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:8.1.5硝酸盐选择性氮化镓基晶体管基离子传感器,具有低检测限
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。