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用以改善氮化镓间隔件厚度的均匀度的具有选择性和非选择性蚀刻层的增强型氮化镓晶体管

摘要

一种增强型晶体管栅极结构,其包括设置在障壁层上面的GaN间隔件层,在该间隔件层上面的第一pGaN层,设置在该第一p‑GaN层上面的p型含铝III‑V族材料(例如,pAlGaN或pAlInGaN)的蚀刻终止层,与设置在该蚀刻终止层上面厚度大于第一p‑GaN层的第二p‑GaN层。晶圆上源于蚀刻该蚀刻终止层和底下薄pGaN层的任何变化远小于由蚀刻厚pGaN层引起的变化。因此,本发明的方法在障壁层上面留下在晶圆上有最小变化的GaN薄层。

著录项

  • 公开/公告号CN110754001A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宜普电源转换公司;

    申请/专利号CN201880039807.2

  • 申请日2018-06-13

  • 分类号

  • 代理机构北京市磐华律师事务所;

  • 代理人赵楠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 06:51:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20180613

    实质审查的生效

  • 2020-02-04

    公开

    公开

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