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集成电路金属互连结构、制造方法以及集成电路

摘要

本公开提供一种集成电路金属互连结构、集成电路金属互连结构制造方法以及集成电路。本公开实施例提供的集成电路金属互连结构包括:金属互连线,用于连接集成电路中的金属接触件;介质层,其中一面设置有用于容纳所述金属互连线的线型槽;缓冲层,覆盖于所述介质层上,与所述金属互连线相互贴合;阻隔层,覆盖于所述缓冲层上,用于阻隔所述金属互连线的原子扩散。本公开实施例所提供的集成电路金属互连结构通过在金属互连线与阻隔层之间设置缓冲层,可以提高金属互连线的粘附紧密性,避免在金属互连线的接触界面上形成原子扩散通道,从而可以改善金属互连线的电迁移性能,降低出现空洞或者凸起等缺陷的风险,提高金属互连线的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN110890348A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;

    申请/专利号CN201811051103.5

  • 发明设计人 杨军;

    申请日2018-09-10

  • 分类号

  • 代理机构北京律智知识产权代理有限公司;

  • 代理人袁礼君

  • 地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

  • 入库时间 2023-12-17 06:51:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/538 申请日:20180910

    实质审查的生效

  • 2020-03-17

    公开

    公开

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