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用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式

摘要

本公开涉及用于非易失静态随机存取存储器架构的扩展写入模式。本文中公开了一种方法,其中每个易失性存储器单元具有与其相关联的至少一个非易失性存储器单元。该方法包括步骤:a)接收包括至少一个地址和要写入该至少一个地址的至少一个数据字的非易失性写入指令,b)在至少一个地址处将至少一个数据字写入字的易失性存储器单元,以及c)通过个体地寻址用于非易失性写入的这些非易失性存储器单元,但是不从其他易失性存储器单元向其相关联的非易失性存储器单元写入数据,因为这些非易失性存储器单元未被寻址,从而将来自在步骤b)期间写入的易失性存储器单元的数据写入与这些易失性存储器单元相关联的非易失性存储器单元。

著录项

  • 公开/公告号CN110782931A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 意法半导体(鲁塞)公司;

    申请/专利号CN201910665419.1

  • 发明设计人 F·塔耶特;M·巴蒂斯塔;

    申请日2019-07-23

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 法国鲁塞

  • 入库时间 2023-12-17 06:51:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/412 申请日:20190723

    实质审查的生效

  • 2020-02-11

    公开

    公开

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