一种厚膜功率混合集成电路

摘要

本发明公开一种厚膜功率混合集成电路，包括上盖、外壳底座以及位于外壳底座内的陶瓷基板与功率芯片，陶瓷基板底面焊接于外壳底座的内底面；外壳底座内还设有呈梯形台状的铜热沉块，铜热沉块竖直嵌设于陶瓷基板与外壳底座的内底面；铜热沉块的上表面设有上田字形沟槽，上田字形沟槽一侧为芯片背电极引出端焊接区，铜热沉块的下表面设有下田字形沟槽；所述功率芯片焊接于铜热沉块的上表面；铜热沉块的下表面与外壳底座内表面之间焊接有氮化铝过渡片；设置铜热沉块作为散热媒介，对于大功率芯片可有效提升热容量和散热性能；将铜热沉块设置成梯形台状，以满足功率芯片辐射状散热要求，可有效提升热沉的散热能力。