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半导体工艺部件及其形成方法、以及半导体工艺设备

摘要

一种半导体工艺部件及其形成方法、以及半导体工艺设备,其中形成方法包括:提供第一基板;在所述第一基板内形成第一沟槽;在所述第一沟槽内形成第一导电层;在所述第一导电层上和第一基板上形成第一介质层;提供第二基板;将第一基板朝向第二基板进行第一键合处理,且所述第一介质层位于第一基板和第二基板之间。所述方法能够简化制备工艺步骤,节省制造成本。

著录项

  • 公开/公告号CN110676164A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910973045.X

  • 发明设计人 蒋维楠;余兴;

    申请日2019-10-14

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐文欣

  • 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室

  • 入库时间 2023-12-17 06:47:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/304 申请日:20191014

    实质审查的生效

  • 2020-01-10

    公开

    公开

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