使用自控层分离方式制备绝缘层上的硅结构的方法

摘要

使用自控层分离方式制备绝缘层上的硅结构的方法，其特征在于：利用注入层加热后反应产出微汽泡，在真空条件下微汽泡膨胀破裂，晶圆内外产生压力差使键合晶圆自动分离形成绝缘层上硅的结构。本发明利用TM‑SOI制备的SOI硅片，注入层在真空的环境下，高温提供了反应能量形成微汽泡，真空使得微汽泡膨胀后产生了内外压力差，使得晶圆自动分离。其大大减少了硅片表面的颗粒，提高了硅片的洁净度；其具有突出的明显更好的技术效果。其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。