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一种防漏电的深耗尽图像传感器像素单元结构及制作方法

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摘要

本发明公开了一种防漏电的深耗尽图像传感器像素单元结构，包括设于P

1. 一种防漏电的深耗尽图像传感器像素单元结构及制作方法 [P] . 中国专利： CN110690236A . 2020-01-14
2. 一种堆叠式深耗尽图像传感器像素单元结构及制作方法 [P] . 中国专利： CN110289277A . 2019-09-27
3. UNIT PIXEL OF CMOS IMAGE SENSOR REDUCING BAD PIXEL FAIL AND LEAKAGE CURRENT USING SIMPLE CONTACT STRUCTURE [P] . 韩国专利： KR20040093997A . 2004-11-09

机译： CMOS图像传感器的统一像素，可通过简单的接触结构来减少不良像素故障和漏电流
4. Stacked image sensor pixel cell with in-pixel vertical channel transfer transistor and reflective structure [P] . 美国专利： US10051218B1 . 2018-08-14

机译：具有像素内垂直沟道传输晶体管和反射结构的堆叠图像传感器像素单元
5. STACKED IMAGE SENSOR PIXEL CELL WITH IN-PIXEL VERTICAL CHANNEL TRANSFER TRANSISTOR AND REFLECTIVE STRUCTURE [P] . 美国专利： US2018227521A1 . 2018-08-09

机译：具有像素内垂直通道转移晶体管和反射结构的堆叠式图像传感器像素单元