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一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,该微米线阵列均匀分布于泡沫镍骨架上,其直径约为0.5~3微米,长度约为50~200微米。制备过程主要分为在泡沫镍上镀铜和水热反应生长四硫七铜一钾微米线阵列两步。泡沫镍上镀铜:先将泡沫镍用盐酸处理,再将其放入镀铜溶液中浸泡一定时间,经清洗和干燥后即得镀铜的泡沫镍。在镀铜的泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列:先按一定比例配制含有无水乙醇、硫粉和氢氧化钾的混合液,接着将该混合液转移到内衬为聚四氟乙烯的反应釜中,并放入镀铜的泡沫镍,密封后进行水热反应,反应结束后经清洗、干燥,即得到在泡沫镍上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN110950372A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林理工大学;

    申请/专利号CN201911230421.2

  • 申请日2019-12-04

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号

  • 入库时间 2023-12-17 06:38:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G3/00 申请日:20191204

    实质审查的生效

  • 2020-04-03

    公开

    公开

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