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公开/公告号CN110795370A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-14
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910671518.0
发明设计人 崔桢焕;李泰成;
申请日2019-07-24
分类号
代理机构北京市立方律师事务所;
代理人李娜
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 06:34:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-14
公开
机译: 具有非易失性半导体存储器件的存储系统,该非易失性半导体存储器件包括非易失性半导体存储器。
机译: 非易失性半导体存储器件和用于非易失性半导体存储器件的读取方法,包括在锁存感测到的数据之前对数据锁存输入节点进行充电
机译: 非易失性半导体存储器件和包括该非易失性半导体存储器件的存储系统
机译:具有固有电荷陷阱层的非易失性半导体存储器件已获专利
机译:等离子体增强化学气相沉积氮氧化硅层在非易失性半导体存储器件中的应用
机译:以氧氮化硅(SiO_xN_y)为玻璃隧道层的金属氧化物-氮化物-氧氮化物-多晶硅非易失性半导体存储器件的制作与表征
机译:表征对浮置阱非易失性半导体存储器件进行编程期间引起的对薄氧化物的损坏
机译:电荷捕获非易失性半导体存储器件的设计,表征和建模。
机译:基于铜酞菁的非易失性存储器件薄膜
机译:硅纳米晶体金属氧化物半导体存储器件中的导电机理和电荷存储的原子力显微镜研究
机译:用于快速,可扩展,非易失性半导体存储器的凤头隧道障碍(主题3)