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包括非易失性存储器件的半导体存储器模块

摘要

本公开涉及包括非易失性存储器件的半导体存储器模块。该半导体存储器模块包括:数据缓冲器,所述数据缓冲器与外部设备交换第一数据信号;非易失性存储器件,所述非易失性存储器件分别通过数据线连接到所述数据缓冲器;以及控制器,所述控制器连接到所述数据线。所述控制器从所述外部设备接收地址、命令和控制信号,并且根据所述地址、所述命令和所述控制信号,所述控制器通过第一控制线控制所述数据缓冲器并且通过第二控制线控制所述非易失性存储器件。

著录项

  • 公开/公告号CN110795370A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201910671518.0

  • 发明设计人 崔桢焕;李泰成;

    申请日2019-07-24

  • 分类号

  • 代理机构北京市立方律师事务所;

  • 代理人李娜

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 06:34:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-14

    公开

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