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一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法

摘要

本发明提供一种DDR2/DDR3存储器的快速检测方法,它包括如下步骤:1、首地址写入0xFFFF0000;2、回读;3、回读值与写入值相同,则继续执行;否则报芯片故障,结束检测;4、地址加1,写入值低16位和地址的低16位相同,写入值高16位为低16位的反码;5、回读;6、回读校验,回读值与写入值相同,则继续执行;否则报芯片故障,结束检测;7、循环执行步骤4‑7,直至整片存储器检测完成。本发明的优点是,根据DDR2/DDR3存储器数据在时钟双沿跳变的特点,能够实现所有数据位在时钟沿同时跳变的检测,提高效率的同时,保证了产品的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN110647436A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京自动化控制设备研究所;

    申请/专利号CN201810671129.3

  • 发明设计人 杨海涛;黄佳;张伟彬;

    申请日2018-06-26

  • 分类号

  • 代理机构核工业专利中心;

  • 代理人孙成林

  • 地址 100074 北京市丰台区云岗北区西里1号院

  • 入库时间 2023-12-17 06:30:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/26 申请日:20180626

    实质审查的生效

  • 2020-01-03

    公开

    公开

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