首页> 中国专利> 一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法

一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法

摘要

本发明提供了一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法,将边发射DFB半导体激光器或激光器阵列的出光方向通过一定的结构转换为表面发射的,能够充分利用PWB技术在芯片横向平面上的高分辨率,便于三维聚合物波导的设计和制作,提高激光器阵列与SOI波导阵列集成的耦合效率和综合性能,有利于大规模硅基光子集成芯片的生产和应用;表面发射可以在不解理的情况下对激光器阵列芯片进行测试和挑选,过滤掉一些性能不满足要求的激光器,提高了集成芯片的处理和制作效率。

著录项

  • 公开/公告号CN110661172A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京邮电大学;

    申请/专利号CN201910938647.1

  • 申请日2019-09-29

  • 分类号H01S5/40(20060101);

  • 代理机构32243 南京正联知识产权代理有限公司;

  • 代理人张玉红

  • 地址 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

  • 入库时间 2023-12-17 06:26:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/40 申请日:20190929

    实质审查的生效

  • 2020-01-07

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号