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室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件

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摘要

本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI

著录项

  • 公开/公告号CN110660915A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 许昌学院;

    申请/专利号CN201810684417.2

  • 发明设计人 郑直;张卜生;雷岩;余海丽;杨晓刚;齐瑞娟;

    申请日2018-06-28

  • 分类号

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人乔宇

  • 地址 461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

  • 入库时间 2023-12-17 06:26:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/42 申请日:20180628

    实质审查的生效

  • 2020-01-07

    公开

    公开

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