一种用于铟锡氧化物半导体透明导电膜蚀刻的蚀刻液

摘要

本发明公开了一种用于铟锡氧化物半导体透明导电膜蚀刻的蚀刻液，按照重量份数计算，包括：盐酸5‑12份、三氯化铁25‑30份、表面活性剂0.5‑1份、消泡剂0.5‑1份、去离子水100‑300份。本发明的有益效果：烷基多苷类表面活性剂具有表面张力低、无浊点、湿润力强、配伍性强、无毒、无害、对皮肤无刺激、生物降解迅速彻底，有效降低ITO蚀刻液的表面张力，蚀刻过程中速率适中，消泡剂能消除蚀刻过程中烷基多苷类表面活性剂产生的泡沫，满足ITO膜蚀刻高精度加工要求，对光阻无破坏作用，对蚀刻线条保护好，图形完整，在25℃下1min即蚀刻干净，蚀刻效果稳定，重复性很好。