公开/公告号CN104362147A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 佛山芯光半导体有限公司;
申请/专利号CN201410662069.0
申请日2014-11-19
分类号H01L25/18;H01L29/778;
代理机构
代理人
地址 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地核心区内A区7座三层302
入库时间 2023-12-17 03:57:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-03
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L25/18 申请公布日:20150218 申请日:20141119
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/18 申请日:20141119
实质审查的生效
2015-02-18
公开
公开
机译: 具有动态雪崩击穿特性的半导体器件及其制造方法
机译: 平面半导体功率组件的防雪崩边缘端接具有高击穿电压,并且边缘区域具有非常均匀的特性-具有一种导体类型的主体区域,而通过在相反导体类型的半导体主体中进行额外掺杂而形成了延伸区域
机译: 一种用于制造gan半导体器件的方法,该方法能够在降低漏电流的同时增加击穿电压