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一种用于成膜的真空腔室检测设备及真空腔室检测方法

摘要

本发明涉及一种用于成膜的真空腔室的检测设备,包括:一真空腔室;设置于所述真空腔室内的光源;设置于所述真空腔室内用于承载所述玻璃基板的承载装置;检测装置,用于基于所述光源发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测,获取一光学检测结果;数据比较器,用于将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是否有污染物。本发明还涉及一种真空腔室检测方法。本发明的有益效果是:及时发现玻璃基板是否存在有机污染物,防止成膜真空腔室污染,提高产品良率。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-14

    授权

    授权

  • 2014-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20140520

    实质审查的生效

  • 2014-09-03

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及液晶产品制作领域,尤其涉及一种用于成膜的真空腔室检测设 备及真空腔室检测方法。

背景技术

目前设计的TFT-LCD各类产品,沉积薄膜的方法,主要采用真空腔室, 如果留有光刻胶等有机物的玻璃基板进入成膜腔室,在等离子的轰击之下,有 机物就会被轰击整个腔室里面,造成腔室污染,产品的良率会受到严重影响, 造成重大损失。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供一种用于成膜的真空腔室检测设备及 真空腔室检测方法,防止成膜真空腔室污染,提高产线良率。

为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种用于成膜的真空腔室 的检测设备,包括:

一真空腔室;

设置于所述真空腔室内的光源;

设置于所述真空腔室内用于承载所述玻璃基板的承载装置;

检测装置,用于基于所述光源发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测, 获取一光学检测结果;

数据比较器,用于将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所 述玻璃基板上是否有污染物。

进一步的,所述检测装置具体为一位置可移动的测试探头,能够通过位置 移动扫描所述玻璃基板的各检测点,获取相应的光学检测结果。

进一步的,所述测试探头与所述光源设于所述玻璃基板的同一侧,所述光 学检测结果为所述玻璃基板的检测点的反射光强比率。

进一步的,所述测试探头与所述光源分别位于所述玻璃基板相对的两侧, 所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的光透过率。

进一步的,所述光源可移动的设置于所述真空腔室内。

进一步的,用于成膜的真空腔室的检测设备还包括用于在所述玻璃基板上 存在污染物时报警的报警器。

进一步的,用于成膜的真空腔室的检测设备还包括:

至少两个电学探头;

判断装置,用于根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头是否 导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。

本发明还提供一种通过上述用于成膜的真空腔室的检测设备进行的真空 腔室检测方法,包括以下步骤:

将光源打开;

检测装置对所述玻璃基板的检测点进行检测,获取一光学检测结果;

将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是 否有污染物。

进一步的,真空腔室检测方法还包括:在所述玻璃基板上存在污染物时报 警。

进一步的,所述光学检测结果为所述玻璃基板的所有检测点的光透过率或 反射光强比率。

进一步的,所述光透过率为检测装置接收的光的强度与光源发射的光的强 度的比值。

进一步的,还包括以下步骤:

通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形;

将两个电学探头移动到所述导电测试图形;

根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头是否导通的电学检 测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。

进一步的,所述通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形具体 包括:

在玻璃基板的检测点沉积金属膜层;

通过光刻工艺在所述金属膜层上涂布光刻胶;

通过刻蚀工艺、剥离工艺形成导电测试图形。

本发明的有益效果是:及时发现玻璃基板是否存在有机污染物,防止成膜 真空腔室污染,提高产品良率。

附图说明

图1表示本发明用于成膜的真空腔室的检测设备结构示意图;

图2表示用于成膜的真空腔室的检测设备结构示意图;

图3表示另一实施例中用于成膜的真空腔室的检测设备结构示意图;

图4表示沉积金属膜层后的玻璃基板示意图;

图5表示涂布光刻胶后的玻璃基板示意图;

图6表示经过刻蚀工艺后的玻璃基板示意图;

图7表示玻璃光刻胶后的玻璃基板示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的特征和原理进行详细说明,所举实施例仅用于 解释本发明,并非以此限定本发明的保护范围。

如图1和图2所示,本实施例提供一种用于成膜的真空腔室的检测设备, 包括:

一真空腔室;

设置于所述真空腔室内的光源2;

设置于所述真空腔室内用于承载所述玻璃基板的承载装置;

检测装置1,用于基于所述光源2发射的光对所述玻璃基板的检测点进行 检测,获取一光学检测结果;

数据比较器3,用于将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断 所述玻璃基板上是否有污染物。

本实施例中的污染物一般指的是有机污染物。

基于所述光源2发射的光对所述玻璃基板的检测点进行检测,获取一光学 检测结果,将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板 上是否有污染物,实时监控和及时发现玻璃基板是否存在有机污染物,防止成 膜真空腔室污染,提高产品良率。

本实施例中,所述检测装置1具体为一位置可移动的测试探头,能够通过 位置移动扫描所述玻璃基板的各检测点,获取相应的光学检测结果。

所述光源2可以为一光学探头,可移动的设置在所述真空腔室内。

本实施例中,所述测试探头与所述光源2设于所述玻璃基板的同一侧,所 述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的反射光强比率。

所述测试探头与所述光学探头同步移动、成对的设置在所述真空腔室内。

如图1和图2所示,所述真空腔室内设有与Y轴方向平行的第一导轨4 和第二导轨5,所述第二导轨5位于所述第一导轨4的下方,所述测试探头可 移动的设置在所述第一导轨4上,所述光学探头可移动的设置在所述第二导轨 5上,由于所述光学探头发出的光为点光源,所述测试探头位于所述光学探头 的上方,且所述测试探头位于所述光学探头是同步移动的,以便所述测试探头 采集相应的光学检测结果。

所述真空腔室内成对设置有第三导轨6和第四导轨7,所述第三导轨6与 X轴方向平行,所述第一导轨4可移动的设置在所述第三导轨6上,所述第二 导轨5可移动的设置在所述第四导轨7上,所述第一导轨4沿着所述第三导轨 6在X轴方向移动,设置在所述第一导轨4上的所述测试探头随之沿着X轴 方向移动,同时所述第二导轨5沿着所述第四导轨7在X轴方向移动,设置 在所述第二导轨5上的光学探头随之沿着X轴方向移动,从而实现所述测试 探头和所述光学探头在X轴方向、Y轴方向的移动,全面扫描玻璃基板,及 时发现玻璃基板上的有机污染物,防止真空腔室污染,提高产品良率。

本实施例中,所述第一导轨4设有两个,每个所述第一导轨4上设有一个 所述测试探头,所述第二导轨5设有两个,每个所述第二导轨5上与所述测试 探头对应的位置设有一个所述光学探头,但是不以此为限,所述第一导轨4、 所述第二导轨5、所述测试探头与所述光学探头的数量均可根据实际需要设定。

所述第三导轨6和相应的所述第四导轨7之间设有至少2个支柱8,每个 支柱8上设有与所述X轴方向平行的支撑板9,且连接于同一所述第三导轨6 上的两个支柱8上的支撑板9的延伸方向相对,如图1和图2所示,所述第三 导轨6的两端与相应的所述第四导轨7的两端分别设有支柱8,四个支柱8上 的支撑板9形成用于承载所述玻璃基板的承载装置。

所述支撑板9也可以与Y轴方向平行,且成对设置的支撑板9沿着Y轴 方向相对延伸,至少四个支撑板9形成用于承载所述玻璃基板的支撑平台,即 所述承载装置。

本实施例中,所述测试探头与所述光源2分别位于所述玻璃基板相对的两 侧,所述光学检测结果为所述玻璃基板的检测点的光透过率。

所述光透过率为检测装置1接收的光的强度与光源2发射的光的强度的比 值。

本实施例中,用于成膜的真空腔室的检测设备还包括用于在所述玻璃基板 上存在污染物时报警的报警器。

当所述数据比较器3得出玻璃基板上存在有机污染物的结构时,所述报警 器报警,玻璃基板停止在真空腔室内的下步工艺,防止在等离子的轰击下,有 机污染物被轰击在整个真空腔室里面,造成真空腔室的污染。

当所述数据比较器3得出玻璃基板上存在有机污染物的结构时,所述报警 器报警,玻璃基板停止在真空腔室内的下步工艺,可以是人工操作停止玻璃基 板在真空腔室内的下步工艺,也可以是自动停止。

所述报警器可以独立设置也可以与所述数据比较器3集成一体结构。

本实施例中,所述检测装置1也可以包括:

用于采集玻璃基板图像的图像采集器;

用于分析所述图像,确定所述玻璃基板上是否存在污染物的图像分析器。

可以通过Canny算子边缘检测方法或其他边缘检测方法,确定玻璃基板 上的污染物边缘,从而确定所述玻璃基板上存在污染物。

本实施例中,用于成膜真空腔室的检测设备还包括用于将所述玻璃基板输 送至所述真空腔室内的传送装置,所述传送装置的结构形式可以有多种,例如 可以为机械手臂、传送带等。

本发明还提供一种通过上述用于成膜的真空腔室的检测设备进行的真空 腔室检测方法,包括以下步骤:

将光源2打开;

检测装置1对所述玻璃基板的检测点进行检测,获取一光学检测结果;

将所述光学检测结果与标准样本数据进行比较以判断所述玻璃基板上是 否有污染物。

进一步的,真空腔室检测方法还包括:在所述玻璃基板上存在污染物时报 警。

进一步的,所述光学检测结果为所述玻璃基板的所有检测点的光透过率或 反射光强比率。

进一步的,所述光透过率为检测装置1接收的光的强度与光源2发射的光 的强度的比值。

以下以测试探头和光学探头分别位于基本两侧为例具体介绍本实施例中, 检测玻璃基板上是否存在污染物的过程。

首先编辑标准样本数据:将正常未发生不良的玻璃基板,送入用于成膜真 空腔室检测设备中,承载装置固定支撑玻璃基板,然后光学探头将光源打开, 提供玻璃基板的背光源;测试探头也同时工作,接收透过玻璃基板的光源信号 强度,然后传输到数据比较器3;数据比较器3会将接收的光源信号强度与光 学探头发出的光源信号强度进行相比较,得出光的透过率(光透过率为检测装 置1接收的光的强度与光源2发射的光的强度的比值);从而得出标准样本数 据。

样品测试:将需要监控和测试的玻璃基板通过传送装置输送至真空腔室内, 承载装置固定支撑玻璃基板,然后下面的光学探头将光源打开,提供玻璃基板 的背光源;测试探头也同时工作,接收透过玻璃基板的光源信号强度,光学探 头和测试探头可以沿着相应的第一导轨4、第二导轨5移动,所述第一导轨4 和第二导轨5可以沿着相应的第三导轨6和第四导轨7移动,从而对玻璃基板 进行全方位测试,然后将测试的数据(测试探头获得的光学检测结果)传输到 数据比较器3;数据比较器3将接收的光学检测结果进行处理,与正常的标准 样本数据进行比较;如果在玻璃基板上存在有机物,此测试点的透过率相比较 标准样品数据的透过率就会降低,从而报警器会进行报警提示,玻璃基板就会 停止下步在真空腔室的工艺,防止腔室污染。

如图3所示,另一实施例中,用于成膜的真空腔室的检测设备还包括:至 少两个电学探头10;

判断装置,用于根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头10 是否导通的电学检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。

为了精确的检测玻璃基板上是否存在有机污染物,可以采用光学探头、测 试探头利用光学原理对玻璃基板进行检测后,通过电学探头10利用电学原理 对玻璃基板上存在污染物的概率较大的区域进行复检,一般情况下,玻璃基板 上存在污染物概率较大的区域为玻璃基板的非功能区,例如玻璃基板的边缘, 有效的防止真空腔室被污染。

本实施例中,所述电学探头10设置于所述第一导轨和/或所述第二导轨上。

本实施例中,玻璃基板的检测点处通过构图工艺形成的导电测试图形。

本实施例中,所述导电测试图形的结构、大小、数量等可根据实际需要设 定。

当然,在实际使用时,为了节省检测时间,上述光学探头和电学探头10 的使用可以分开独立使用,即仅采用光学探头、测试探头利用光学原理对玻璃 基板进行检测,或者仅通过电学探头10利用电学原理对玻璃基板上存在污染 物的概率较大的区域进行检测,而没有复检,其中仅通过电学探头10利用电 学原理对玻璃基板上存在污染物的概率较大的区域进行检测更是大大的节省 了时间,在防止真空腔室被污染的同时进一步的提高了整个产品加工工艺的效 率。

本实施例还提供一种通过上述用于成膜的真空腔室的检测设备进行的真 空腔室检测方法,包括以下步骤:

通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形;

将两个电学探头10移动到所述导电测试图形;

根据位于玻璃基板上的检测点处的两个所述电学探头10是否导通的电学 检测结果判断玻璃基板上是否存在污染物。

所述通过构图工艺在玻璃基板的检测点形成导电测试图形具体包括:

在玻璃基板100的检测点沉积金属膜层200,如图4所示;

通过光刻工艺在所述金属膜层200上涂布光刻胶300,如图5所示;

通过刻蚀工艺、剥离工艺形成导电测试图形,如图6和图7所示。

通过电学探头10利用电学原理对玻璃基板上存在污染物的概率较大的区 域进行检测的具体工作流程如下。

通过构图工艺在玻璃基板非功能区形成导电测试图形,预先保存导电测试 图形的物理坐标位置,以作为电学探头10的检测点。

承载装置固定支撑玻璃基板,然后两个电学探头10移动到导电测试图形 的位置,如果玻璃基板上没有有机污染物,则两个电学探头10会导通,如果 玻璃基板上面残留有机污染物,则电学探头10的电流无法流过,外面会无信 号输出,判断装置也就接收不到信号。

以上所述为本发明较佳实施例,需要指出的是,对于本领域普通技术人员 来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些 改进和润饰也应视为本发明保护范围。

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