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公开/公告号CN103715032A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201310745112.5
发明设计人 王金淑;刘伟;田恬;张喜珠;汪强;王亦曼;周美玲;左铁镛;
申请日2013-12-30
分类号H01J1/144;H01J1/15;H01J9/04;
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人张慧
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2024-02-19 22:57:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-06
授权
2014-05-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J1/144 申请日:20131230
实质审查的生效
2014-04-09
公开
机译: 热离子钨/钪酸盐阴极及其制造方法
机译: 以铱和钡为浸渍剂由钨和铱粉末制成长寿命高电流密度阴极的方法
机译: 热阴极的周期性电子发射电流增加-通过在浸渍的钨@阴极上使用钨-氧化outer外层,可将微波管和电视带回能量。
机译:钨hen合金粉末在制备浸渍阴极骨架中的用途。 Ⅱ。含钨hen合金骨架的含钡浸渍阴极的发射能力
机译:浸渍钡钪酸盐分配器阴极二次排放性能研究
机译:氨基硅磷酸盐钨酸负载的磷酸盐钨酸磷酸盐型Lafeo3纳米粒子:一种新型可回收和优异的可见光光催化剂
机译:用钨和钨 - 铼基质的钪酸盐浸渍阴极的发射性能,微观结构和表面组成
机译:使用PVD两步氮化钛阻挡层工艺的优势,以及由于钨膜的不均匀性,钨膜沉积产生的残留副产物对工艺集成的影响。
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机译:通过其活化恢复氧化浸渍的钨钡阴极
机译:用铝酸钡浸渍钨发射器制备空心阴极的寿命模型。