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电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器、制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法、蓝宝石单晶锭和蓝宝石晶片

摘要

本发明提供一种电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器、一种制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法、一种蓝宝石单晶锭以及一种蓝宝石晶片。根据实施方式,电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器包括:腔室;坩埚,所述坩埚被包括在所述腔室内并且含有氧化铝熔融物;以及电阻加热的加热器,所述电阻加热的加热器被包括在所述腔室的内部并且用于加热所述坩埚。

著录项

  • 公开/公告号CN103328695A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG矽得荣株式会社;

    申请/专利号CN201180065128.0

  • 申请日2011-12-21

  • 分类号C30B15/18;C30B29/20;H01L21/02;

  • 代理机构北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人徐川

  • 地址 韩国庆尚北道

  • 入库时间 2024-02-19 21:10:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-26

    授权

    授权

  • 2017-12-08

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/18 变更前: 变更后: 申请日:20111221

    著录事项变更

  • 2013-10-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/18 申请日:20111221

    实质审查的生效

  • 2013-09-25

    公开

    公开

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