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一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法

摘要

本发明公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法,所述的双层钝化膜为利用光刻技术保留在器件表面和台面侧面的上、下两层的双层Si3N4薄膜,其制备工艺为:在AlGaN基紫外探测器表面和台面侧面采用感应耦合等离子体化学气相沉积方法沉积双层Si3N4薄膜,首先沉积一层应力与AlGaN层应力相近的下层Si3N4薄膜,然后沉积一层致密的上层Si3N4薄膜,待上述双层膜沉积以后通过光刻和刻蚀工艺保留器件表面和台面侧面的Si3N4双层膜。本发明实现了AlGaN基紫外探测器中钝化膜的低应力、高致密度、耐腐蚀的优势。

著录项

  • 公开/公告号CN103413839A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;

    申请/专利号CN201310325082.2

  • 申请日2013-07-30

  • 分类号H01L31/0216(20060101);H01L31/18(20060101);C23C16/34(20060101);H01L31/105(20060101);

  • 代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人郭英

  • 地址 200083 上海市虹口区玉田路500号

  • 入库时间 2024-02-19 21:05:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0216 申请公布日:20131127 申请日:20130730

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-12-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 申请日:20130730

    实质审查的生效

  • 2013-11-27

    公开

    公开

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